Hersteller Teilnummer
STGF10NB60SD
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Einzel -IGBT -Transistor
Produktfunktionen und Leistung
Niedrige Leitungsverluste
Optimierte Schaltleistung
Hochstromabrechnungsfähigkeit
Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 ° C bis 150 ° C)
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung
Zuverlässiges und robustes Design
Vielseitige Anwendungseignung
Wichtige technische Parameter
Leistungsbewertung: 25W
Collector-Emitter-Spannung (max): 600 V
Sammlerstrom (max): 23a
Collector-Emitter-Sättigungsspannung (max): 1,75 V
Reverse -Wiederherstellungszeit: 37ns
Torladung: 33nc
Sammlerstrompuls (MAX): 80A
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Zuverlässige und langlebige Konstruktion
Kompatibilität
Geeignet für eine breite Palette von Strom -Elektronikanwendungen
Anwendungsbereiche
Wechselrichter
Motor fährt
Netzteile
Industrieausrüstung
Erneuerbare Energiesysteme
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Austausch- oder Upgrade -Optionen beim Hersteller erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hohe Effizienz und niedrige Verluste für eine verbesserte Systemleistung
Robustes Design und breitem Betriebstemperaturbereich für Zuverlässigkeit
Vielseitige Anwendung Eignung für verschiedene Stromelektronikprojekte
Einhaltung der ROHS -Vorschriften für die Umweltverantwortung
STGF0U2N100STMicroelectronics