Hersteller Teilnummer
STGW30NC60VD
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Bipolarer Transistor mit hoher Leistung isoliertem Gate (IGBT)
Geeignet für verschiedene Stromumrechnungsanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
600 V IGBT mit geringer Leitung und Schaltverlusten
80A -Sammlerstrombewertung
250W Strombewertung
Schnelle Schaltleistung mit 44ns Reverse Recovery -Zeit
100 NC Gate -Ladung für ein effizientes Torantrieb
Produktvorteile
Optimiert für eine hohe Effizienz-Leistungsumwandlung
Robustes und zuverlässiges Design für industrielle Anwendungen
Einfache und einfache Integration in Stromversorgungssysteme
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Spannung (VCES): 600 V
Sammlerstrom (IC): 80A
Leistungsbewertung (PTOT): 250W
Reverse Recovery Time (TRR): 44Ns
Gate Ladung (QG): 100 NC
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Getestet und für industrielle Anwendungen qualifiziert
Robustes TO-247-3-Paketdesign
Kompatibilität
Geeignet für verschiedene Stromumrechnungs -Topologien wie Wechselrichter, Wandler und Motorantriebe
Anwendungsbereiche
Industriemachtelektronik
Erneuerbare Energiesysteme
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Motor fährt und kontrolliert
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist eine aktive und weit verbreitete IGBT von STMICROELECRECTRONICS, ohne dass ein Absetzen geplant ist.
Austausch- oder Upgrade -Optionen sind beim Hersteller erhältlich, wenn sich die Technologie entwickelt.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnetes Verhältnis von Leistung zu Kosten für Leistungskonvertierungsanwendungen
Robustes und zuverlässiges Design für industrielle Umgebungen
Einfache Integration in Stromsystemdesigns
Umfangreiches technisches Support und Produktlebenszyklusmanagement von STMICROELECTRONICS
STGW30NC60DVSTMicroelectronics