Hersteller Teilnummer
STGW30V60DF
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Bipolarer Transistor (IGBT) mit Hochleistungsgraben-Field-Stop-Isolierstop-Gate
Produktfunktionen und Leistung
Hochspannung von 600 V
Hochstrombewertung von 60A
Niedrige Einsatzspannung (VCE (ON)) von 2,3 V bei 15-V-Gate-Spannung und 30A-Kollektorstrom
Schneller Schalter mit kurzer Einschalten (45 Ns) und Abkürzung (189 ns) Verzögerungszeiten
Robustes Graben-Field-Stop-IGBT-Technologie
Hochleistungsdichte von 258W
Produktvorteile
Hervorragende Effizienz und niedrige Stromverluste
Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit
Geeignet für Hochleistungsanwendungen mit hoher Frequenzschaltanwendungen
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung (BVCES): 600 V
Sammlerstrom (IC): 60A
Collector-Emitter-Sättigungsspannung (VCE (ON)): 2,3 V
Reverse Recovery Time (TRR): 53Ns
Gate Ladung (QG): 163nc
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
TO-247-3 Paket für zuverlässigen Betrieb und thermisches Management
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungs-Hochleistungs-Schaltanwendungen mit hoher Frequenzwechsel
Anwendungsbereiche
Motor fährt
Wechselrichter
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Schaltmodus-Netzteile
Schweißausrüstung
Induktionsheizung
Produktlebenszyklus
Derzeit in aktiver Produktion
Keine bekannten Pläne für den Absetzen
Austausch- oder Upgrade -Optionen beim Hersteller erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hervorragende Effizienz und niedrige Stromverluste für eine verbesserte Systemleistung
Schnelles Schalten und niedrige Einsatzspannung für Hochfrequenzanwendungen mit Hochleistungsanwendungen
Robuste und zuverlässige IGBT-Technologie von Graben-Field-Stop für den langfristigen Betrieb
Breite Palette von kompatiblen Anwendungen für die Flexibilität von Designs
Verfügbarkeit von Ersatz- und Upgrade -Optionen vom Hersteller
