Hersteller Teilnummer
STGW35HF60WDI
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Bipolarer Transistor mit hoher Leistung isoliertem Gate (IGBT)
Entworfen
Produktfunktionen und Leistung
Hochleistungsbeschaffungsfunktion bis zu 200 W
Spannungsbewertung bis zu 600 V
Aktuelle Bewertung bis zu 60A
Schnelles Umschalten mit Reverse -Wiederherstellungszeit von 85 Ns
Niedriger Spannungsabfall von 2,5 V bei 20a
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung
Zuverlässiger Hochleistungsbetrieb
Kompaktes und robustes Design
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 600 V
Sammlerstrom (max): 60a
Torladung: 140nc
Energie schalten (Ausschalten): 185 μj
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
TO-247-3-Paket für zuverlässige thermische und mechanische Leistung
Kompatibilität
Geeignet für Industriemotorfahrten, Haushaltsgeräte, Stromumwandlung und andere Hochleistungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Industriemotorfahrten
Power Wechselrichter und Konverter
Haushaltsgeräte
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Schweißausrüstung
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktionsmodell, keine Absetzung geplant
Ersatz- oder Upgrade -Optionen bei STMICROELECTRONICS erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungshandhabung und Spannungsfähigkeit
Schnelle und effiziente Schaltleistung
Zuverlässiges und robustes Design für industrielle Anwendungen
Kompatibilität mit einer Vielzahl von Hochleistungssystemen
Verfügbarkeit von technischer Unterstützung und Produktlebenszyklusmanagement von STMICROELECTRONICS
