- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
STL9N3LLH5.pdfPCN -Obsoleszenz/ EOL
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013.pdfSTL9N3LLH5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL9N3LLH5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL9N3LLH5
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±22V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | PowerFlat™ (3.3x3.3) | |
| Serie | STripFET™ V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta), 50W (Tc) | |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN | |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 724 pF @ 25 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) | |
| Grundproduktnummer | STL9 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL9N3LLH5.
| Produkteigenschaften | ![]() |
![]() |
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|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | STL90N3LLH6 | STL8NH3LL | STL9N80K5 | STL9N65M2 |
| Hersteller | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - | - | - | - |
| Befestigungsart | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| Verlustleistung (max) | - | - | - | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Typ FET | - | - | - | - |
| Paket | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Serie | - | - | - | - |
| Betriebstemperatur | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Verpackung / Gehäuse | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Grundproduktnummer | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Technologie | - | - | - | - |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Supplier Device-Gehäuse | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
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STL9P4LF6AGSTMicroelectronicsDISCRETE
STL9N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT
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STL9N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
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STL92N10F7AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 16A POWERFLATIhre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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