- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
STL9P2UH7.pdfPCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 07/Feb/2018.pdfPCN -Verpackung
IPD/15/9333 21/Jul/2015.pdfSTL9P2UH7 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL9P2UH7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL9P2UH7
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | PowerFlat™ (3.3x3.3) | |
| Serie | STripFET™ | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V | |
| Verlustleistung (max) | 2.9W (Tc) | |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN | |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2390 pF @ 16 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | |
| Typ FET | P-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) | |
| Grundproduktnummer | STL9 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL9P2UH7.
| Produkteigenschaften | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | STL92N10F7AG | STL9N65M2 | STL9N60M2 | STL9P4LF6AG |
| Hersteller | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Typ FET | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Verlustleistung (max) | - | - | - | - |
| Befestigungsart | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Grundproduktnummer | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - | - | - | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Betriebstemperatur | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Supplier Device-Gehäuse | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - | - | - | - |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Serie | - | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Paket | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Technologie | - | - | - | - |
Laden Sie STL9P2UH7 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL9P2UH7 - STMicroelectronics herunter.
STL9N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
STLC1664V435CAQSTMicroelectronics
STL92N10F7AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT
STL9P3LLH6STMicroelectronics
STL90N3LLH7STMicroelectronics
STL9P4LF6AGSTMicroelectronicsDISCRETE
STLC2150TSTMicroelectronics
STLC2150STMicroelectronics
STL9N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT
STLC1502DSTMicroelectronics
STL9NK30ZSTMicroelectronicsIhre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
Willst du einen besseren Preis? Hinzufügen zu CART und Senden Sie jetzt RFQ , wir werden Sie sofort kontaktieren.