Hersteller Teilnummer
STL9N60M2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Einzeltransistor -FET, MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
Hochspannungsmosfet
Niedriges On-Resistenz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Optimiert für Hochfrequenzanwendungen
Produktvorteile
Verbesserte Effizienz
Reduzierte Stromverluste
Zuverlässige Leistung
Wichtige technische Parameter
Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS): 600 V
Tor zur Quellspannung (VGS): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 860 mΩ @ 2,4A, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 4,8a @ 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 320PF @ 100V
Leistungsdissipation (TC): 48W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
AEC-Q101 qualifiziert
Kompatibilität
Kompatibel mit Powerflat (5x6) HV -Paket
Kann im 8-Powervdfn-Paket verwendet werden
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Wechselrichter
Motor fährt
Industrielle Elektronik
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Verfügbarkeit von Ersatz und Upgrades
Hauptgründe zur Auswahl
Hervorragende Effizienz und Zuverlässigkeit
Hochspannungsbetrieb
Niedrige On-Resistenz bei reduzierten Stromverlusten
Optimiert für Hochfrequenzwechsel
Robustes Design und AEC-Q101 Qualifikation
