Hersteller Teilnummer
STW33N60M2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit hoher Spannung, geringem Aufnahmebereich und schneller Schaltfunktionen.
Produktfunktionen und Leistung
600 V Drain-to-Source-Spannung
125mΩ max. On-Resistenz
26a kontinuierlicher Abflussstrom
Schneller Schalten mit niedriger Gate -Ladung
Geeignet für hochfrequente, hocheffiziente Leistungsumwandlungsanwendungen
Produktvorteile
Hervorragende Effizienz und Leistungsdichte
Zuverlässiges und robustes Design
Einfach zu integrieren und zu fahren
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 600 V
Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 125 mΩ @ 13A, 10V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 26a
Eingangskapazität (CISS): 1781PF @ 100V
Leistungsdissipation (PTOT): 190W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Entwickelt für hohe Zuverlässigkeit und langfristige Betrieb
Kompatibilität
To-247-3 Paket
Geeignet für verschiedene Stromumrechnungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgungen
Motor fährt
Wechselrichter
Schweißausrüstung
Induktionsheizung
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Derzeit verfügbar
Keine Lebensende oder Ersatzankündigungen
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Hochspannung, niedrige Leistung auf der Resistenz
Schnelles Schalten und effizienter Betrieb
Zuverlässiges und robustes Design für industrielle Anwendungen
Einfach zu integrieren und zu fahren
Breites Spektrum an Stromumwandlungen und industriellen Anwendungen
