Hersteller Teilnummer
STW34N65M5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Power-MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
650 V Drain-to-Source-Spannung
110 mΩ Maximal On-Resistenz
28a kontinuierlicher Abflussstrom
190W maximale Leistung Dissipation
Geeignet für hocheffiziente Leistungsumwandlungsanwendungen
Produktvorteile
Niedrige vor Ort für hohe Effizienz
Hochspannungsfähigkeit
Hoher Stromhandhabung
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 650 V
Maximale Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 110 mΩ
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 28a
Eingangskapazität (CISS): 2700PF
Leistungsdissipation (PTOT): 190W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Untergebracht in einem bis-247-3-Paket für eine zuverlässige thermische Leistung
Kompatibilität
Geeignet für die Verwendung in verschiedenen Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Schweißausrüstung
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktionsmodell, keine Absetzung geplant
Austausch und Upgrades, die als technologische Fortschritte verfügbar sind
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeiten
Niedrige On-Resistenz für effiziente Stromumwandlung
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Kompatibilität mit einer Vielzahl von Leistungselektronikanwendungen
Verfügbarkeit von Ersatz und Upgrades zur Unterstützung des langfristigen Gebrauchs
