Hersteller Teilnummer
STW34NB20
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Der STW34NB20 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor von STMICROELECRECTRONICS, der für eine Vielzahl von Stromschaltanwendungen ausgelegt ist.
Produktfunktionen und Leistung
200 V Drain-to-Source-Spannung
34a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C
Niedrige On-Resistenz von 75 mΩ @ 17a, 10 V
Schneller Umschalten mit niedriger Gate -Ladung von 80 nc @ 10V
Breiter Betriebstemperaturbereich von bis zu 150 ° C
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung mit geringer Leitung und Schaltverlusten
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Kompaktes TO-247-3-Paket für eine einfache Integration
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 200 V
Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 75 mΩ @ 17A, 10 V
Abflussstrom (ID): 34a @ 25 ° C.
Leistungsdissipation (PD): 180W @ TC
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Entworfen und hergestellt nach qualitativ hochwertigen Standards
Kompatibilität
Kompatibel mit einer Vielzahl von Leistungselektronikanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Wechselrichter
Leistungsfaktorkorrekturschaltungen
Andere Hochleistungsschaltanwendungen
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Keine Pläne für die Absetzen
Bei Bedarf Ersatz- oder Upgrade -Optionen verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hervorragende Leistung und Effizienz mit geringem Aufnahmebereich und schnellem Umschalten
Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Anwendungen
Kompaktes und benutzerfreundliches TO-247-3-Paket
Breiter Betriebstemperaturbereich
Einhaltung der ROHS3 -Standards für die Umweltverantwortung
STW33N60M6STMicroelectronics
STW35N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 28A TO247
STW35N65DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 32A TO247
STW34N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 28A TO247