Hersteller Teilnummer
STW35N65M5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-MOSFET-Transistor mit branchenführender Leistung und Effizienz
Produktfunktionen und Leistung
Hochspannung von 650 V
Sehr niedrige vor Ort von 98 MOHM
Hoher kontinuierlicher Abflussstrom von 27a
Niedrige Eingangskapazität von 3750PF
Hochleistungsdissipationsfähigkeit von 160 W
Breiter Betriebstemperaturbereich von bis zu 150 ° C
Produktvorteile
Verbesserte Energieeffizienz bei Leistungsumwandlungsanwendungen
Reduzierte Schaltverluste
Robuster und zuverlässiger Betrieb
Kompakte Größe und einfache Integration
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 650 V
Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 98 MOHM
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 27a
Eingangskapazität (CISS): 3750PF
Leistungsdissipation (PTOT): 160W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Einhaltung der Richtlinie der ROHS3
Robustes TO-247-3-Paketdesign
Kompatibilität
Kompatibel mit einer Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Motorsteuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Beleuchtungsballasts
Industrieausrüstung
Produktlebenszyklus
Derzeit in aktiver Produktion
Austausch und Upgrades im Rahmen der MDMESH V -Serie erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Branchenführende Leistung und Effizienz
Robuster und zuverlässiger Betrieb
Breite Kompatibilität und vielseitige Anwendungen
Laufende Produktunterstützung und Verfügbarkeit
