Hersteller Teilnummer
CSD17553Q5A
Hersteller
Texas Instrumente
Einführung
Der CSD17553Q5A ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor aus Texas Instruments.Es ist Teil der NEXFET -Serie, die für effiziente Stromumrechnungsanwendungen ausgelegt ist.
Produktfunktionen und Leistung
30 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
1mΩ Maximal On-Resistenance (RDS (ON)) bei 20a, 10 V
5a Dauerabflussstrom (ID) bei 25 ° C Umgebungstemperatur
100A kontinuierlicher Abflussstrom (ID) bei 25 ° C -Falltemperatur
3252PF Maximale Eingangskapazität (CISS) bei 15 V
-55 ° C bis 150 ° C Betriebstemperaturbereich
Produktvorteile
Hervorragende Leistung auf der Resistenz für die effiziente Stromumrechnung
Hochstromabrechnungsfähigkeit
Niedrige Eingangskapazität für das schnelle Umschalten
Kompakt 8-VSONP (5x6) Paket
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 30V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 20 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 3,1 mΩ @ 20a, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 23,5a (TA), 100A (TC)
Eingangskapazität (CISS): 3252PF @ 15V
Leistungsdissipation (max): 3.1W (TA)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Zuverlässige Leistung innerhalb von -55 ° C bis 150 ° C Betriebstemperaturbereich
Kompatibilität
Kann in einer Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen verwendet werden
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Konverter
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Der CSD17553Q5A ist ein aktives Produkt und nähert sich nicht nähert sich ab.
Austausch- oder Upgrade -Optionen können bei Texas Instruments erhältlich sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hervorragende Leistung auf der Resistenz für die effiziente Stromumrechnung
Hohe aktuelle Handhabungsfähigkeit für anspruchsvolle Anwendungen
Schnelle Schaltkapazität aufgrund einer geringen Eingangskapazität
Kompakte Paketgröße für platzbeschränkte Designs
Zuverlässiger Betrieb innerhalb eines weiten Temperaturbereichs
ROHS3 Compliance für die Umweltverantwortung
