Hersteller Teilnummer
CSD17570Q5BT
Hersteller
Texas Instrumente
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET für Hochfrequenzschaltanwendungen optimiert
Produktfunktionen und Leistung
Sehr geringe Vorbeständigkeit für hohe Effizienz
Ultra-niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten
Hochgeschwindigkeitsschaltfähigkeit
Hochstrombeschwerde bis zu 100A
Produktvorteile
Ausgezeichnetes thermisches Management
Kompaktes Paket für platzbeschränkte Designs
Höchst zuverlässige und robuste Leistung
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 30V
On-Resistenz (RDS (ON)): 0,69 mΩ
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 100a
Eingangskapazität (CISS): 13.600PF
Leistungsdissipation (PD): 3.2W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Hochwertiger Herstellungsprozess
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Hochfrequenzschaltanwendungen, wie z. B.:
Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Konverter
Anwendungsbereiche
Industrielle Elektronik
Leistungsmanagement
Kfz -Elektronik
Telekommunikationsgeräte
Produktlebenszyklus
Der CSD17570Q5BT ist ein aktives Produkt mit fortlaufender Unterstützung und Verfügbarkeit von Texas Instruments.Derzeit werden derzeit keine Pläne zum Absetzen oder Pläne am Lebensende angekündigt.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Außergewöhnliche Leistung in Bezug auf geringe Aufnahmebereich und schnelles Umschalten
Hocheffiziente Leistungsumwandlung für eine verbesserte Systemeffizienz
Kompaktes und thermisch effizientes Paketdesign
Robuster und zuverlässiger Betrieb über einen weiten Temperaturbereich
Breite Kompatibilität und Eignung für eine Vielzahl von Hochleistungsschaltanwendungen

CSD17576Q5BR